图；然后在交给刻蚀机把电路图给刻蚀出来。

    经过这几道复杂的工序后，晶圆片在高倍显微镜下面就会看到的一个个小小的凸起，这就是晶体管的雏形，但这还不行，这些晶体管还只是一个个形状，还不具备晶体管的任何功能，还要进行掺杂才会变成真正的晶体管。

    在晶元中掺入磷或其他五价元素就会形成n型半导体；掺入硼或其他三价元素就会形成p型半导体。

    一句话，就是通过掺入不同杂质在晶圆片上形成一个个晶体管。

    我们在半导体芯片上那些肉眼看不见，只有在高倍显微镜下才能看到的晶体管就是这么制造出来的。

    人们有时候会问，在一个小小的芯片上是怎么做到几万甚至几亿个晶体管得？你们是怎么把晶体管做得那么小的，甚至达到了纳米级，你们又是怎么把那么小的晶体管按上去的？实际上晶体管不是按上去的，都是通过光刻工艺刻蚀并掺杂后形成的。而微米级c纳米级芯片，是指芯片中晶体管之间的间距，不是指晶体管的大小，晶体管之间的间距越小，相同面积的芯片上晶体管的数量就越多。晶体管之间布满了中间线，把各个晶体管给连接起来。

    凌世哲接过邱明递过来的数据记录资料，翻开，上面全是离子注入机的各种运行记录，加工产品的品质记录等等，然后又在显微镜下看了下加工的样品，最后又看了看产品的各种检测报告，感到非常的满意，问道：“应该到达商业应用了吧？”

    邱明回答道：“如果这台样机在运行上没有问题，结构上在优化一下，就可以进行商业化生产，凌少，以前对半导体的掺杂都是用的扩散法掺杂工艺，而利用离子注入机进行掺杂是60年代才开始的，但技术一直不成熟。我们的这台离子注入机在技术上完全的成熟，机构简单c体积小，保养c维护c维修上简单方便，掺杂品质好，标靶精度高，跟以前的掺杂方式比起来，有太多的优势了。”

    “掺杂后的退火你们采用的是什么退火工艺？”

    离子注入掺杂技术有个缺点，会对晶格造成损伤，因此在离子注入后需要进行退火处理来消除这些缺陷。

    “我们采用的是电子束退火工艺，我们同时也试验过激光退火工艺，但与激光退火相比，电子束退火束班均匀性较好，能量转换效率可达到50，而激光退火只有1，比它高多了。”

    电子束退火是利用电子束照射半导体表面，使其中的离子注入层在极短的时间内达到很高的温度，从而实现消除损伤的目的。它的加热过程进行得非常快速，加热仅仅限于表面层，因而能减少某些副作用。

    “这种技术成熟了吗？”

    “成熟，完全的成熟。”邱明回答道，脸上充满了自豪的表情，又继续说道：“凌少，离子注入和电子束退火整套工艺，全部采用自动化处理，能够大大的减轻工人的劳动强度，整套设备只需2个人就可以轻松的完成，设备相当可靠。”

    “好，太好了，有了这套设备，我们的芯片生产成本将会大幅降低，成品率也会大幅提高，生产效率也会成倍增加。什么时候可以完成定型生产？”经过这么长时间，投入了这么多的资金，终于看到些成果，凌世哲开始迫不及待的想要马上把这些设备投入使用。

    邱明没有回答他的问题，而是在站在一旁一副欲言又止的样子，凌世哲很快注意到他的表情，问道：“怎么了，邱教授？”

    见他问道，邱明不能不回答，说道：“凌少，我认为，现在还不忙把这套设备投入生产使用，到时可以在加拿大的芯片工厂安装一台进行实验性生产看看实际使用效果如何，如果有不合适的地方我们可以在修改完善，凌少你不是要在今年年底的时候，会再次的把芯片工厂升级到8微米制程工艺吗？现在离年底还有整整一